联电(2303-TW)(UMC-US)今(21)日宣布推出新一代80奈米小尺寸屏幕驱动芯片(SDDI)制程。此制程现已准备量产，并与数家主要客户针对HD720/WXGA画质的智能型手机产品合作中。

联电表示，80奈米SDDI备产此制程特色在于具备了晶圆专工业界最富竞争力的SRAM储存单元。联电已于0.13微米制程平台出货逾3亿颗SDDI芯片，运用于WVGA与qHD画质的主流智能型手机。

此低耗电的尖端SRAM解决方案采用了先进的设计规则，以缩小储存单元尺寸到0.714平方微米，将比现有80奈米SDDI制程中使用的一般0.81平方微米更加微缩许多，使智能型手机得以更小芯片尺寸实现HD720/WXGA高画质。

联华电子12寸特殊技术开发处资深处长许尧凯表示，随着现在智能型手机的快速兴起，该公司已在特殊技术开发上位居领先者地位，使联电客户能够持续推陈出新，推动功能更强的产品问世。联电现有的80奈米与即将推出的55奈米SDDI制程，可协助现有或新的客户，推出耗电更低且画质更高的尖端智能型手机屏幕驱动芯片。