主要功能:

       模拟静电产生模式（即人体模式（HBM）、机器模式（MM）和闩锁模式）来检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。

主要特征：
测试针数量可达1024针 ；
HBM Voltage：0-8KV；
M M Voltage：0-4 KV；
具有Latch Up功能等。