会自动进行重测(连续的重测亦会起到延时的效果)。而延迟时间加得太长，会影响到测试时间。
12. 关于“-1”的使用场合: +/-Lm%可设为“-1”,以忽略其限制. 经验表明,以下几种情况不提倡使用“-1”.
a) 小电阻(如1.0~2OHM), -Lm%勿取-1(0电阻除外),要确保能测出连锡短路;
 因过小的电阻一般在Open/Short测试时,无法检出连锡.
b) DIODE反向压降测试, +Lm%勿取-1,因探针接触不佳开路时,电压降更大;
c) 电容极性测试, -Lm%勿取-1,因探针接触不佳开路时,电流会更小.
虽然因探针接触不佳开路时,DIODE 的正向测试或电容容值会FAIL,但RETRY时仅就不良步骤进行再测试.
13. 对于无法准确测试的情形,比如:大电阻并联大电容,过小的小电容等,可考虑修改Stand_V和放大+/-Lm%而保留测试. 无论如何,不要取删略(Skip)的下策. 虽然有时这颗组件既便漏件也不可测,但并不表示错成其它任何组件都不可测.
14. 据时间常数τ=RC,且系统对大电阻提供的电流源会比小电阻小,故在整个网络中,大电阻须延时的机会会比小电阻多. 遇大电阻,按F7学习后,如得到的测量值不甚接近实际值或者不稳定,则可设DLY为10或以上,再按F7学习. 如果延时须要太久,可考虑用HIGH SPEED MODE R//C.
15. 在线路图和零件表上没有列出电感值的电感，可以按下F8键，以所量到的电感值当做标准值。对于感值在mH级以上的电感(包括变压器, 继电器等线圈),均补增R模式测试,且延时必须为10以上,亦考虑设RPT为5或D,使其呈现为较小电阻(此为防范选错针号,以及更确保测出内部开路的必要步骤).
16. 所有电感,包括变压器(Transformer),继电器(Relay),高压包(LOT)等线圈,原则均宜采用电感(L)模式测试,以确保测出短路或者错件及不良。有些电感测试能力较差的品牌，往往将其当作跳线或者小电阻来测试，仅能测出开路。$Page_Split$
17. 选择低频(MODE1)测试小电感时,同小电阻类似,测量值受探针接触电阻影响较大,可将上限适当放宽至50以上.
18. 关于电容极性测试, 一般可按如下方法试之:
i. 设ACT_V为5~10V, (初设9V,试之不佳,再考虑将其改为5V等.)
ii. MODE为6 (<20mA)  (一般电流越大越好)
iii. STD_V为0.2~0.5mA (此设定以可完全准确测出插反为准,可更大些.)
iv. HI-PIN为电容阳极
v. LO-PIN为电容阴极.
vi. -LM% 可设至60~90.
19. 作为旁路的小电容, 一般上限充许较大误差, 确保最低值满足要求即可. 精度要求非常高的电容另虑.
20. 对于100pF以下的小电容,如果不稳定,上限可宽至40~80.
21. 对于3nF以下的电容,按F7学习失败,可试蓍在Offset设定200,500,2000等等,再按F7学习,如在生产中欲重新学习,最好先去除Offset,再按如前所述试之.
22. 大电容有时会遭误判，可以将该大电容的高低点互换试之。对于40uF以上的电容,按F7学习用MODE4测试,如果测量值不接近实际值,可将MODE改为8再试. 因大电流充电,其充电曲线较陡.
23. 所有二极管均用正,反向双步测试. 以更确保测出插反或错件,乃至组件不良. 具体方法:
按CTRL+ENTER插入一步后,分别将Stand_V设置为9.9V, MODE为1, RPT为5/D, 如并联大电容,则要足够延时. 再按F8得Meas_V, 然后以Meas_V修改Stand_V, 设+/-Lm%为20~30(不提倡使用-1).
24. 对于SMD板,在参数设置时,要注意一般不要让ICT加到UUT的电压超过3V(一般IC的工作电压)左右为宜.
25. 对于计算机主板,宜增加一步VCC与GND之间的电阻测试,并加足够的延时.