立碑，竖碑（Tombstoning）是指无引线元件(如片式电容器或电阻)的一端离开了衬底，甚至整个元件都支在它的一端上。
Tombstoning也称为Manhattan效应、Drawbridging 效应或Stonehenge 效应，它是由软熔元件两端不均匀润湿而引起的；因此,熔融焊料的不够均衡的表面张力拉力就施加在元件的两端上,随着SMT小型化的进展,电子元件对这个问题也变得越来越敏感。
此种状况形成的原因：1、加热不均匀；2、元件问题：外形差异、重量太轻、可焊性差异；3、基板材料导热性差，基板的厚度均匀性差；4、焊盘的热容量差异较大，焊盘的可焊性差异较大；5、锡膏中助焊剂的均匀性差或活性差，两个焊盘上的锡膏厚度差异较大，锡膏太厚，印刷精度差，错位严重；6、预热温度太低；7、贴装精度差，元件偏移严重。
SMT回流焊不良分析-立碑，竖碑（Tombstoning）
日期:2009-12-07 21:33 点击:572
