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ENEPIG表面处理技术应用研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-11-16  浏览次数:230
为规避化学镍金黑盘(ENIG Black pad)造成的潜在失效风险,解决选择性 ENIG+OSP设计限制及工艺流程复杂、成本高限制,特选择行业五支主流ENEPIG药 水,对ENEPIG镀层综合性能进行全方位评估,包括:镍腐蚀(黑盘)、透锡率、 焊点强度、按键性等。从最终评估结果来看,ENEPIG镀层是一种比较完美的镀 层,完全无黑盘失效风险,可替代ENIG规避黑盘失效风险,替代ENIG+OSP实现成本的降低。

ENEPIG的英文全称是Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold。在传统ENIG生产线上 增加一个钯槽,即可实现ENEPIG工艺,工艺制作流 程时间相比ENIG无明显提高。采用氧化还原体系的钯,在 沉积过程中不会对镍层产生攻击,可以作为金沉积过程中 的阻挡层,规避镍腐蚀的产生。对于焊接来说,钯本身就 是就可以作为抗氧化层,ENEPIG金层的厚度相比ENIG来说 可以降低至0.015um,由于金价远高于钯,所以ENEPIG综合成本相比ENIG并不会太高。

ENEPIG技术需求
ENEPIG完全无黑盘失效风险,可替代ENIG规避黑 盘失效风险,不存在ENIG+OSP设计限制条件,且可比成 本低8-10%,故从设计及加工综合考虑,ENEPIG可替代 ENIG+OSP,实现降低成本。

ENIG的黑盘风险
传统的ENIG表面处理,由于其存在的置换反应机理, 决定镍腐蚀(Nickel corrosion)不可避免,当镍腐蚀达到 一定程度时,会对焊点存在可靠性隐患,在IMC处发生脆性 断裂,出现黑色的断口,业界将此失效现象定义为“Blackpad”。

终端手机ENIG+OSP工艺局限性
由于ENIG存在黑盘潜在失效风险,手机单板表面处理 有原先单一的ENIG方式切换为ENIG+OSP,ENIG部位用于 手机按键/Key pad及屏蔽区域,选择性ENIG+OSP工艺流程如下:

选择性ENIG+OSP工艺局限性: -> 设计上:要保证一定的间距(12mil),存在高密 布线局限性问题;

-> 制造上:工艺流程长,控制复杂,生产效率低, 产品良率低,总体成本高。

ENEPIG行业应用情况 由于较薄的钯层及较厚金层即可实现电镀软金(金 层厚0.3um)一样的打金线性能,故此项技术在IC 封装 Bonding及基板行业开始应用,但在PCB行业研究和应用则 刚处于起步阶段。

ENEPIG评估方案 选择行业五家主流ENEPIG药水供应商(编号1-5#) ,其中3#及5# 钯为氧化还原沉积,4#钯为置换反应沉 积。测试项目主要包括:镍扩散、镍腐蚀、通孔透锡率及 焊点机械强度,并与ENIG(编号6#)及OSP(编号7#)进行对比。

试验结果及分析

镍扩散/迁移测试 采用Augertest,测试前样品经过5次无铅回流和 175℃/16h高温两种条件老化。由于4#药水采用的是置换 钯,所得的钯镀层仅在0.015~0.05um左右,经过热老化 后,存在镍扩散/迁移至金表面,与常规ENIG表现接近;对 于采用氧化还原钯的1-3#及5#样品,钯镀层厚度在0.05- 0.20um,未发现镍迁移的现象。

根据以上分析可以看出,钯镀层厚度对镍扩散/迁移 有较大影响,ENEPIG的钯镀层最小厚度需控制在最小0.05um,可作为有效的阻挡层,保护镍层,可耐至少5次无 铅回流老化,不会发生镍氧化而影响镀层的可焊性。

镍腐蚀测试
1、剥金后镍表面扫描电镜(SEM)观测 将1-5#ENEPIG样品剥金/钯及6#ENIG剥金,并进 行SEM观测分析,可以发现1-3#及5#样品未发现任何镍 腐蚀现象,表明钯采用氧化还原体系的ENEPIG药水,钯在 沉积的过程中,不会攻击镍层产生镍腐蚀,由于采用的是 氧化还原反应,钯可以沉积一定的厚度,有效地作为阻挡 层,防止金缸药水对镍的进一步攻击。

对于钯采用氧化还原体系的ENEPIG药水,在钯沉积的 过程中,发生的镍置换钯反应,对镍层会产生一定的腐蚀, 由于采用的是置换反应,钯沉积的厚度有限,并不能完全将 镍层覆盖保护,在金沉积的过程中,同时会发生镍置换金的 反应,对镍层进一步攻击,不可避免地存在一定的镍腐蚀 (4#样品为置换钯体系,剥金后发现金面与1-3#/5#样品表现差异较大,与ENIG接近)。

2、焊锡后断面SEM观测
将1-5#ENEPIG样品剥金/钯及6#ENIG进行焊锡,切 片断面SEM分析IMC的微观结构。对于钯采用氧化还原反应的ENPIG镀层,IMC结合优异,无任何Ni spike现象,对于4#样品,IMC界面出现黑色微裂纹,经过SEM进一步放大,可以发现为连续的镍腐蚀,进一步证明采用置换钯的ENEPIG药水不可完全避免镍腐蚀问题。

PTH通孔透锡性能测试
分别将1-7#样品经过5X LF回流老化后,再进行波峰焊透锡率测试,参考如下标准。

通过Auger test发现,经过回流老化后,氧化还原体系 的钯(厚度0.05~0.15um)完全可以作为阻挡层,阻止镍扩散迁移,一旦无镍迁移至Au表面,镍层不会被氧化,加以金的润湿性本身比较好,所以ENEPIG的通孔透锡高度可以达到100%,但ENIG存在镍扩散问题,所以润湿性相比ENEPIG要差,OSP属有机膜,经过多次回流老化后,可焊性会变得更差(5#样品手工加工,孔内ENEPIG镀层覆盖不良,故透锡率相对较差)。

焊点强度测试
设计SMD焊盘,焊盘尺寸0.40mm,采用Sn63Pb37和 SAC305植球,分别进行正常速度/高速(1,000mm/S)焊 球拉力和剪切力测试,并与ENIG和OSP作对比,分析断口失效模式和表现特征。

1、焊球拉力测试(速度0.5mm/s,Sn63Pb37)
采用Sn63Pb37焊料,对比在速度0.5mm/s条件下的起 拔,1-3#及5#ENEPIG与OSP接近,4#样品5次回流后, 部分样品出现IMC界面断裂,6#ENIG出现脆性断口的比率较高。

2、焊球剪切力测试(SAC305)
焊球剪切力测试结果与焊球拉力测试结果类似,1-3#及5#优于4#和5#,与7#接近。

手机按键性能测试
将测试板组装成整机,以5-7N的压力、56+/-5次/min速度进行按键,规格要求为80万次,不可出现按键不良,测试后手机按键的手感良好。最终结论为通过,其耐磨性满足手机按键耐久性要求,测试后按键上没有出现明显的磨损痕迹。

结论
1、ENEPIG钯镀层形成应采用氧化还原方式沉积,不推荐使用置换钯体系的化学镍钯金药水;
2、用氧化还原沉积的钯,厚度在0.05~0.15um,经过5次回流或175℃/16h高温老化,不会出镍扩散/迁移现象,通孔透锡性能表现优异,透锡率可达100%;
3、采用氧化还原方式沉积钯的ENEPIG镀层完全无镍腐蚀风险,焊球拉力测试结果表面,明显优于常规ENIG镀层,与OSP接近,可以替代ENIG,规避黑盘风险;
4 、ENEPIG 镀层可满足手机按键要求, 可取代ENIG+OSP满足高密设计需求以及实现成本下降。

参考文献:
[1] Evaluation of Pb-free BGA Solder Joint Reliability on Nickel-based Surface Finishes using Alternative Solder Ball Shear Speeds. Sven Lamprecht, Hugh Roberts, Shozo Nishiba, Mustafa Ozkok Kuldip Johal;Atotech Deutschland GmbH, Berlin, Germany; Atotech USA Inc., Rock Hill, SC, USA; Atotech Japan K.K., Yokohama, Japan.
[2] A ROOT CAUSE FAILURE MECHANISM FOR SOLDER JOINTINTEGRITYOFELECTROLESS NICKEL / IMMERSION GOLDSURFACE FINISHES. Nicholas Biunno and Michael Barbetta, HADCOCorporationSanta Clara, CA.
[3] IS ENEPIG THE SOLUTION OF LEAD FREE SOLDERING ON PCB ANDIC PACHAGING APPLICAHTION? Dennis Yee. Rohm and Haas Electronic Materials.
[4 Investigations of Brittle Failure of IMCs on ENIG. Pericles A.Kondos, Joseph W. Therriault, Pushkraj Tumne, and Jing Li. UNOVIS.

 
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