IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，被业界誉为功率变流装置的“CPU”、绿色经济的“核芯”。
占地160亩、由中国南车株洲所具体实施的中国南车大功率IGBT产业化基地项目，总投资14亿元人民币，预计到2013年正式投产。项目建成后，将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只IGBT模块的能力，年产值超过20亿元。
“目前，国内缺少IGBT的产业化设计、生产、封装、测试和可靠性试验等一套完整的技术，国内IGBT的主要供应商为外国厂商。大功率IGBT产业化基地的建设，将改变核心技术受制于人，产品依赖进口的不利局面，提升中国轨道交通等重大装备制造业的核心竞争力。”南车株洲所总工程师冯江华表示。
记者了解到，该基地除建设一条国际领先的8英寸IGBT芯片生产线外，还将建设9条满足不同行业用的IGBT模块生产线。产品电压等级从600伏到6500伏，满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网、高压变频、工业传动等多个行业需求，成为中国首个完全依靠自主能力建设、设计规模最大、技术实力最强、产品型谱最全的大功率IGBT产业化基地。
作为国内唯一掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业，中国南车的技术研发、产品设计、制造与销售都定位在面向全球布局。2010年，中国南车在海外成立功率半导体研发中心，负责承担电力电子器件中长期战略项目和重大项目的技术跟踪、研究和开发，专门从事高压IGBT芯片技术研究和新一代IGBT器件开发，支撑并引领公司大功率半导体器件产业的可持续发展，缩短与国际最先进水平的差距。
中国南车透露，期望通过大功率半导体器件IGBT产业化项目的建设，实现芯片—模块—系统应用的完整产业链，填补中国在这一领域的技术和产品空白，实现电力电子器件的技术跨越，占领技术制高点，实现中国南车“十二五”期间打造全球大功率半导体器件前三强目标。
