日经新闻13日报导，日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)将与Sharp合作，携手研发情报处理速度及耗电力皆优于现行NAND型闪存(Flash Memory)的新型半导体内存「ReRAM(可变电阻式内存)」。报导指出，双方计划于近期内利用日本产业技术总合研究所的研究据点「筑波中心」研发试作品，试作品并将采用可和现行主要内存匹敌的30nm世代制程。据报导，就理论上而言，ReRAM的写入速度可较NAND Flash快上1万倍。
据报导，尔必达和Sharp计划最快于2011年内研发出相关材料及主要制造技术、2013年进行送样并利用尔必达生产据点进行量产。据报导，双方所生产的ReRAM除了将使用于Sharp的手机及多功能可携式产品之外，也计划卖给其它电机厂商。
惠普(HP)于8月31日宣布，该公司已经跟南韩内存芯片大厂Hynix Semiconductor Inc.签订联合开发协议，双方将携手开发新材料以及制程整合技术，将一种名为忆阻器(memory resistor；简称「memristor」)的新型电路组件商用化为新型非挥发性电阻式随机存取内存「ReRAM」。
