一、電阻量測
1、單個電阻R(mode0,1)
利用歐姆定律：Vx=IsRx，則Rx=Vx/Is。信號源Is取恆流(0.1 uA-5mA),量回路電壓Vx即可得出Rx值。
2、電阻并聯電容R//C(mode0,2)
當電容較小時，用mode0,加延遲時間即可。當電容較大時，用mode2,采用定電壓0.15V/0.1V。
3、電阻并聯電感R//L(mode3,4,5)
信號源取交流電壓源Vs,籍相位法輔助 |Y’|Cosθ=1/Rx，并Y’=I’x/Vs 故：Rx=1/|Y’|Cosθ
4、電阻并聯二極體R//D(mode1)
用低一檔電流源(mode1),例如：2K電阻與二極體并聯：
a.如用固定電流源，則：0.5mA*10^-3A*2*10 ^3Ω=1V—則二極體已導通，無法測電阻。
b.如用低一檔電流源，則：0.05mA*10^-3A*2*10 ^3Ω=0.1V—則二極體不導通，電阻測試准確。$Page_Split$
5、電阻并聯電阻R//R(mode0)
根據公式：R=R1*R2/(R1+R2)，直接測兩電阻的并聯值即可。但當R1>10*R2時，R1無法測量。
二、電容量測
1、單個電容C
信號源取恆定交流電壓源Vs
Vs/Ix=Zc=1/2πfCx，求得：Cx= Ix/2πf Vs
2 電容并聯電容C//C
C=C1+C2 當C2>10*C1時，C1無法准確測量。
3、電容并聯電阻C//R
信號源取恆定交流電壓源Vs,籍相位法輔助
|Y’|Sinθ=|Ycx|，即：ωCx’Sinθ=ωCx
求得：Cx= Cx’Sinθ (Cs’=Ix/2πf Vs)
4、電容并聯電感C//L 其測試方法同C//R。$Page_Split$
三、電感量測
1、單個電感L 信號源取恆定交流電壓源Vs
Vs/Ix=Zl=2πfLx，求得：Lx= Ix/2πf Is
2、電感并聯電阻L//R
信號源取恆定交流電壓源Vs,籍相位法輔助
|Y’|Sinθ=|Ycx|，即：Sinθ/ωCx’ =1/ωCx
求得：Lx= Lx’/Sinθ (Lx’=Vs/2πf Ix’)
四、二極體量測
1、單個二極體
信號源0-10V/3mAor30mA可程式電壓源，量PN結導通電壓。
2、二極體并聯二極體D//D
正向量其導通電壓，并反向量其截止電壓，以量測其中一個二極體反件。
3 二極體并聯電容D//C
a.小電容時，加延遲時間即可
b.電容較大時，用電壓方式(5V-6V)量測。
4、二極體并聯電阻D//R
在二極體兩端加定電壓5-6V，量測其截止電壓為1.9V左右。$Page_Split$
五、電晶體測試
使用二極體測試方式對B-E腳及B-C腳測試，實際值用偏壓0.7V，標准值以0.7V為准。另在電晶體的B-E腳及E-C腳兩端各提供一個可程式電壓源及電流源，并測出E-C腳 正向的飽和電壓值為0.2V左右。
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PNP型
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Part_N
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Hi-Pin
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Lo-Pin
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Guarding-Pin
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Q1-EB
|
E
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B
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|
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|
Q1-CB
|
C
|
B
|
|
|
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Q1-EC
|
E
|
C
|
B
|
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NPN型
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Part_N
|
Hi-Pin
|
Lo-Pin
|
Guarding-Pin
|
|
Q1-BE
|
B
|
E
|
|
|
|
Q1-BC
|
B
|
C
|
|
|
|
Q1-EC
|
C
|
E
|
B
|
注：此處的Guarding-Pin并非實現隔離，面是提供一個可程式電壓源。$Page_Split$
六、電解電容的極性測試
1、實際值以5V-10V的電壓送入，標准值之漏電流約0.2mA-0.5mA，反插時其反向漏電流值會遠大于正向漏電流值。
2、在實際中由于大量主、被動元件對電流的分流作用，對電容的極性測試比較有限﹔但采用三端測試法，其可測率為100%。|
Part_N
|
Act
|
Std
|
+LM
|
-LM
|
MODE
|
H-Pin
|
L-Pin
|
Guarding
|
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C1
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7V
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0.3mA
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|
|
|
1
|
2
|
|
|
C1
|
0.2V
|
0.1V
|
10%
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-1
|
LV
|
3
|
2
|
1
|
七、Guarding(隔離)的實現
當Rx有旁路(R1)時，Ix=Is-I1≠Is,
故：Vx/Is≠Rx
此時取A點電位Va，送至C點，令Vc=Va，
則：I1=(Va-Vc)/R1=0，Is=0，Is=Ix
從而：Vx/Is=Rx