RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
RG---信号源内阻
Rth---热阻
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Ts---结温
Tjm---最大允许结温
Tstg---贮存温度
td----延迟时间
tr---上升时间
ts---存贮时间
tf---下降时间
ton---开通时间
toff---关断时间
VCB---集电极-基极（直流）电压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp---穿通电压。
VSB---二次击穿电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）$Page_Split$
VAGC---正向自动增益控制电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
V n---噪声电压
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向平均电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流