表6 1998年度NEMI发展路标的关于移动产品的仿真模型
| 商业生产年份 | 单位 | 1999 | 2001 | 2003 | 2009 |
| 设计封装密度 | |||||
| 组装元器件I/O密度 | I/O per cm2 | 35 | 43 | 60 | 100 |
| 元器件I/O密度 | I/O per cm2 | 140 | 175 | 240 | 350 |
| 封装I/O节距（Area/BGA) | mm | 1.0 | 0.8 | 0.5 | 0.5 |
| 封装I/O节距 (Area/CSP) |
mm | 0.5 | 0.4 | 0.4 | 0.3 |
| 芯片节距（Area) | mm | 0.25 | 0.25 | 0.20 | 0.1 |
| 封装I/O节距 | mm | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
| 基本线宽和线间距 | um | 70 | 60 | 35 | 20 |
| 基本焊盘直径 | um | 200 | 120 | 80 | 50 |
| #I/Os/product | solder joints | 5000 | 5500 | 6000 | 6000 |
| 组装元器件密度 | #/cm2 | 5.0 | 5.5 | 6.0 | 7.0 |
| 元器件密度 | #/cm2 | 33 | 39 | 50 | 65 |
| 实际元器件 | |||||
| 显示器 | Resolution Technoligy | VGA Passive | VGA Active | ||
| Color Cost | Reflectiv $35 | Full $25 | |||
| 半导体内存 | DRAM+ROM | 80MB | 256MB | 0.5GB | 1GB |
| 互连基材 | Type | 4+m-via | m-via | m-via,RTR | m-via,RTR |
| 存贮容量，<12.5mm厚度 | HDD | 3G | 5G | 10G | 20G |
| 元器件厚度 | mm | 2.5 | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
| 电源 | Yype | NiMH/Li ion | Li ion /li polymer | li ion /Li polymer | Li Polymer |
| 无源组件 | Type | 0402 | 0201 | intergral | Intergral |