主要功能:
模拟静电产生模式(即人体模式(HBM)、机器模式(MM)和闩锁模式)来检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。
主要特征:
测试针数量可达1024针 ;
HBM Voltage:0-8KV;
M M Voltage:0-4 KV;
具有Latch Up功能等。
主要功能:
模拟静电产生模式(即人体模式(HBM)、机器模式(MM)和闩锁模式)来检测集成电路、分立器件及Wafer等产品的抗静电能力。
主要特征:
测试针数量可达1024针 ;
HBM Voltage:0-8KV;
M M Voltage:0-4 KV;
具有Latch Up功能等。